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第二百七十一章 成功了!光刻工厂实现了!

第二百七十一章 成功了!光刻工厂实现了! (第1/2页)

3纳米极紫外光?
  
  检测光束设备给出的数据反馈让所有人大吃一惊,3纳米的极紫外光束,这岂不是说他们即将具备制造3纳米芯片的条件?
  
  众所周知,在不考虑《多重曝光技术》的情况下,想要刻出几纳米级的芯片,就要先制造出多少纳米的紫外光光源。
  
  193纳米的深紫外光还好说,大自然里面也能找得到,但13.5纳米及以下的极紫外光,那就必须由人为创造。
  
  深紫外光和极紫外光,和分别对应了DUV光刻机和EUV光刻机,后者现在还处于禁止出口龙国的设备清单里面。
  
  一旦这束光源被证实,确实是可以运用于光刻的极紫外光,那么整个芯片行业都将被颠覆。
  
  “真是3纳米吗?”
  
  夏扬神色激动,向前一步。
  
  他大学虽然学的不是半导体,但这并不代表他不懂芯片制造。
  
  想要光刻14纳米芯片,就要制造13.5纳米波长的极紫外光,这在各种半导体咨询媒体铺天盖地宣传下,早已经人尽皆知。
  
  3纳米波长?
  
  岂不是能刻3纳米芯片?
  
  雷兵也忍不住上前一步,询问道:“这束光能用吗?如果能用是不是意味着我们能造3纳米芯片了?”
  
  现在主流芯片是14纳米,无论是龙兴科技的SOC上帝芯片,还是苹果公司的A9s仿生芯片,亦或者说是髙通公司刚刚推出的骁龙821芯片,它们都是14纳米制程,根本够不着3纳米的边边。
  
  要是真能造3纳米芯片,那可不是小小的科技震撼,而是向整个半导体芯片行业扔了个蘑菇弹,要颠覆整个行业的事情了。
  
  “不能这样说。”
  
  陈星从震撼中回过神,给雷兵与夏扬讲解道:“具备光源还不够,如果真要造3纳米芯片,我们还要经历芯片设计与研制光刻胶。”
  
  在半导体领域,可不仅仅光刻机和紫外光有纳米等级,光刻胶同样有纳米等级区分。
  
  像目前龙兴化工研制的1号光刻胶,它的曝光波长就在193纳米,最高支持7纳米芯片制造,这还是有多重曝光技术加持的情况下。
  
  想要制造出3纳米芯片,3纳米极紫外光、3纳米芯片电路设计、3纳米曝光波长光刻胶缺一不可,这也是为什么,芯片纳米等级推进缓慢的原因。
  
  每推进一步,都需要各行业跟进,一旦说光刻胶不行,那有极紫外光和电路设计图也没用。
  
  正因为技术门槛高,大洋彼岸才能用芯片做文章。
  
  “总裁说得没错。”林天也给予了肯定,他回头看向两位局长道:“现在说3纳米芯片还为时过早,不过我们可以先试试这13.5纳米波长的极紫外光,看看它能不能满足芯片生产需求。”
  
  “这句话在理。”
  
  “确实是我们操之过急了。”
  
  雷兵和夏扬点了点头。
  
  他们属于是懂一点,但并不知道半导体芯片领域可不仅仅只有极紫外光,还有N多的细枝末节,只有全部攻克才能造出芯片。
  
  “趁着天没亮,我们尽快测试光束的可行性吧。”陈星提醒一句。
  
  他们现在可是关了全深城的电力供应,哪怕是凌晨4点钟,但依然会对城市造成影响。
  
  “我马上操作。”
  
  林天点了点头回应道。
  
  刚说完,他立马看向设备操控台,开始输入指令,时不时还跑到一侧去操作。
  
  光刻工厂不同于光刻机,它更像是一条完整的自动化流水线,只需要装填半导体硅片以及光刻胶与配套试剂,输入指令后就可以进行自动化生产。
  
  林天在检验了十几束13.5纳米波长的极紫外光后,也发现了单色性最好的一条光束,将它设定为1号光刻区域。
  
  又经过了十分钟的参数调试,排除外故障情况,林天输入了确定工作的指令。
  
  下一秒。
  
  运输装置自动取片。
  
  存放在特定区域的半导体硅片被静电吸盘吸起,运送到清洗区域,洗掉附着在半导体硅片表面的灰尘和杂质。
  
  在清洗完成以后,半导体硅片会通过特殊运输通道,运往下一個步骤进行烘烤,待半导体硅片彻底干燥将继续运往下一个步骤,涂抹光刻胶。
  
  自动取片。
  
  自动清洗。
  
  自动涂胶。
  
  自动光刻。
  
  这就是光刻工厂,亦或者说光刻全自动工厂。
  
  两块光掩膜版已经重叠,他们在特定
  
  这也是为什么第一期的光刻工厂只有5000平的原因,因为建造太大也没用,像静电吸盘和各类自动化运输的设备,都是需要定制化购买的,关键有些设备国内还没有,比如静电吸盘设备。
  
  第一期相当于测试,等测试通过就可以扩建二期、三期甚至是第四期的光刻工厂。
  
  当然了。
  
  前提是可以能光刻成功。
  
  “我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版,只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案,这又会出现个问题。”
  
  林天喃喃自语。
  
  像似给陈星几人解释,又像似说给自己听。
  
  “那就是两块光掩膜版堆叠,两块透明基板会削弱极紫外光能量,导致光刻失败。”
  
  “为了解决这个问题,我加大了粒子加速器的功率,让电子运动的速度再次增加。”
  
  “理论上来说,运行功率的加大,会同步放大电子运动的速度,电子在环形存储器的速度越快,辐射出的极紫外光能量就越强,但我并不能确定这个数值是不是正确的,只能说理论可行。”
  
  光刻工厂没有人测试过,谁也不知道行不行。
  
  现在又因为光掩膜版限制,林天只能加大功率,这给测试又增添了不小的难度。
  
  “试试就知道了。”
  
  陈星默默举起手机拍摄。
  
  虽然他们在操控室,但面前的屏幕有显示洁净室的画面,根本不需要亲自前往。
  
  林天微微颔首,没有说话,他双眸注视着监控画面,神色也显得格外紧张。
  
  烘干冷却,涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域,只剩下最后的光刻步骤。
  
  随着透镜组移动到指定位置,13.5纳米波长的极紫外光发生了折射,精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上,而光掩膜版上面的完整图案被照射后,最终落到待曝光的半导体硅片表面。
  
  “滋——”
  
  

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